氮化硅基板
技术参数
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项目 |
性能参数 |
单位 |
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白板 |
最大外形尺寸 |
190×138 |
mm |
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热膨胀系数 |
3 |
10-6/K |
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弯曲强度 |
600 |
MPa |
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厚度 |
0.25/0.32/0.635 |
mm |
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电路图案 |
导体公差 |
±0.3 |
mm |
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最小导体宽度 |
0.7 |
mm |
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最小导体间隔 |
0.7 |
mm |
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Si3N4陶瓷覆铜基板 |
导热系数 |
90 |
W/m•K |
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铜厚 |
≤0.8 |
mm |
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表面粗糙度 |
Ra≤0.8 |
um |
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翘曲度 |
≤0.05 |
mm/25mm |
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介电常数（1MHz） |
9 |
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介电损耗（1MHz） |
23 |
10-4 |
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焊接润湿率 |
＞95 |
% |
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剥离强度 |
≥120 |
N/cm |
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击穿(绝缘)强度 |
＞15 |
kV/mm |
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绝缘电阻 |
＞1014 |
Ω·cm |
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绑线强度 |
≥4.9 |
N |
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耐湿性 |
在500小时、85℃、85%RH的条件下，没有电性能的变化 |
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高低温冲击 |
150℃/-45℃，每次循环高低温各保温0.5 h，转换时间15 s。循环1000次后，没有绝缘特性的劣化 |
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